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              單層芯片電容與去耦
              發布者 : admin 發布時間 : 2021/05/28 09:05:24


              廣東愛晟電子科技有限公司生產的單層芯片電容,尺寸?。ㄗ钚】芍?/span>0.23mm)、厚度?。ㄗ畋】芍?.12mm)、等效串聯電阻低、損耗低,可在微波應用中起到隔直流、RF旁路、濾波、調諧等作用。


              小電容濾除高頻,大電容濾除低頻。為了達到更好的濾波效果,一般輸入電源或者輸出電源都會采用一個大容值電容加一個小容值電容的方式(如1uF+0.1uF)。旁路一般位于信號輸入端,去耦一般位于信號輸出端。旁路濾除的是前級電源的干擾,一般是高頻噪聲,在輸入電源管腳上加小容值電容,比如常見的 0.1uF。去耦濾除的則是輸出級的干擾,因為輸出級是作為了下一級的輸入。去耦的第一個作用和旁路是一樣的,高頻濾波。第二是充當儲能電容,在負載所需電流突然增大時提供電能,滿足驅動電路的電流變化,電容越大,儲能越多,在一定范圍內,滿足負載電流變化更有效。


              那么,去耦和旁路又有什么區別呢?旁路(Bypass)是把輸入信號中的高頻成分作為濾除對象。而去耦(Decoupling),也稱為退耦,是把輸出信號的干擾作為濾除對象。對比可知,旁路電容和去耦電容的作用都是濾波,只是在電路上的位置不同而已。


              關于電容的去耦半徑,小容值電容去耦路徑短,超過去耦路徑,就失去了去耦效果,所以一般靠近集成電路(IC,Integrated Circuit)擺放。大容值電容去耦路徑長,擺放位置相對寬松一些。所以電一般是先經過大電容,再經過小電容,再進入到集成電路芯片。






              參考數據:


              記得誠《三分鐘了解電容的去耦半徑》


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