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              技術支持
              單層芯片電容的制備方法
              發布者 : admin 發布時間 : 2020/08/11 09:08:27


              單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面,具有量大面廣的特點。隨著科學技術的不斷進步,對于單層芯片電容的質量可靠性提出了更高的要求。目前,用普通方法制備的單層芯片電容普遍存在失效率高、合格率低、可靠性低的缺陷。特別是在制備過程中,陶瓷制備氣孔缺陷、陶瓷金屬化過程附著力小和切割過程帶來基體機械損傷等缺陷,嚴重影響了產品的可靠性,難以滿足客戶的需求。

              為解決上述技術缺陷,愛晟電子為大家介紹一款單層芯片電容及其制備方法,其包含第一電極板、第二電極以及基體陶瓷層。第一電極板由依次鋪設的第一金電極層、第一鎳電極層以及第一鈦鎢合金過渡層構成;第二電極板由依次鋪設的第二金電極層、第二鎳電極層以及第二鈦鎢合金過渡層構成。其具體的制備方法如下:


              一、基片外觀檢查和吸水率檢測

              檢查介質陶瓷基片是否表面色澤均勻、平整、無裂痕、毛刺等;同時,介質陶瓷基片的吸水率應當處于為0.08%~0.35% 的范圍內。


              二、清洗陶瓷基片

              將用于基片清洗的洗片盒子用去離子水洗凈;將陶瓷基片放入洗片盒子中,用無水酒精進行清洗。超聲波電壓調為150±50V,清洗時間為20±2min,之后用棉簽輕輕擦拭陶瓷基片;再放入超聲波清洗機中進行用清洗劑(濃度為5%)清洗,超聲波輸出電壓調150±50V,清洗時間為20±2min,必須浸沒所有基片;最后,用去離子水清洗20±2min,在加熱至100±3℃的水浴爐中清洗。清洗完畢后,將基片取出。


              三、燒結

              將所有基片放入高溫爐中燒結,燒結溫度為600±100℃,保溫時間為60±30min。


              四、真空濺射

              設置濺射參數,對濺射機進行腔體加熱,對濺射機進行腔體加熱的溫度為150℃~400℃?;捎米赞D和公轉方式,提高膜厚致性,采用直流濺射的方式進行濺射,同時采用在線監測系統,實時監測濺射膜厚。先濺射過渡層鈦鎢合金靶材,再濺射Au靶材,然后濺射Ni靶材。其中,濺射過渡層鈦鎢合金靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa,濺射功率為200W~600W,濺射時間為100s~600s;濺射Au靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa,濺射功率為200W~600W,濺射時間為800s~1200s;濺射Ni靶材的真空度為9.0*10-3~1.0*10-5Pa,濺射功率為200W~600W,濺射時間為2800s~3800s。真空濺射完成后,關掉加熱裝置,待爐溫冷卻至少8h后,將基片取出。


              五、熱處理

              將濺射完成的基片進行真空熱處理,真空度高于10-2pa,真空熱處理溫度為200℃~700℃,熱處理時間為20~72h。


              六、切割

              將平整的陶瓷基片粘接在藍膜上,設置主軸的轉速和切割速度進行切割。其中,主軸轉速設置為26000~34000轉/分,切割速度設置為0.3~0.8mm/s;切割時先進行小樣切割,依據小樣產品電性能進行切割尺寸參數調整,提高產品的命中率。切割后剔除邊角料;用酒精脫水,采用70℃~150℃的溫度,烘干時間設置為30min。


              七、分選

              對單層芯片電容進行外觀、電容量和損耗分選,剔除不合格品。


              八、對芯片電容進行100%溫度沖擊和電壓處理篩選。


              九、包裝

              將產品裝入華夫托盤后進行入盒包裝。


              這款單層芯片電容及其制備方法,在傳統制造方法的基礎上增加了基片吸水率的測試,在基片清洗工序后增加了基片燒結工序進一步去除雜質,有效篩選了基片質量和提高了真空濺射工序電極附著力。同時,在真空濺射關鍵工序中增加了在線測試系統,有效控制了各種材料濺射層厚度,避免了設備參數波動帶來影響,提高了產品的一致性和可靠性。在陶瓷金屬化過程中,采用全濺射方式,減少了電鍍工序帶來的影響。






              參考數據:


              CN107689298A《一種單層芯片電容器的制備方法及單層芯片電容器》

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