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              技術支持
              SLC單層芯片電容
              發布者 : admin 發布時間 : 2020/07/16 09:07:13


              SLC單層芯片電容具有尺寸小、厚度?。ê穸纫话銥?.15~0.5mm)、等效串聯低、損耗低等優點,應用頻率可達數GHz,適用于小型、微波的場合,可應用于微波集成電路中,起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作用。單層芯片電容的底面多數采用焊接或者粘接的方式進行安裝,而其表面則多數采用鍵合的形式進行安裝。芯片電容的安裝方式有以下幾種:


              一、產品底面電極安裝,推薦采用共晶、環氧樹脂導電膠或焊料與電路板線路連接。


              共晶:采用AuSn(80/20)(熔點280℃)或相近類型焊料進行共晶焊接。產品焊接前應在125℃的惰性氣體保護下進行預熱。焊片通常采用厚度為25um、大小為芯片電容面積的1/2的尺寸規格。


              環氧樹脂導電膠:滴下適量的環氧樹脂導電膠以保證良好的電性能連接并無空洞產生。


              二、產品表面電極安裝,推薦采用引線鍵合工藝進行安裝,鍵合方法推薦采用熱超聲球形焊接法或者楔焊法。


              隨著單層芯片電容在電子行業中的需求日益增加,其發展方向如下:


              一、大容量化

              為了滿足元器件日益小型化的需求,單層芯片電容也應迎合小尺寸、大容量的要求。單層芯片電容的外形尺寸基本確定后,需要更大的容值就需要瓷介材料有更大的介電常數。目前,三類瓷介一般能達到30000~40000的介電常數,后期會往更高介電常數發展(50000~60000)。


              二、集成化

              隨著通信技術的不斷發展,在超小型化、高集成化、高頻化不斷發展的動力推動下,將多種元器件集合為一體的多功能復合式電容器正成為技術研究熱點。將薄膜金終端的芯片電容和薄膜電阻集成在一起,可以減少在裝配環節的鍵合次數,降低生產成本。


              三、高壓化

              隨著T/R組件發展,氮化鎵在芯片線路中的應用越來越多,組件向中高電壓、大功率發展。其中,電壓由現在的10V~30V提高至50V~100V,射頻信號帶來的沖擊電壓可達到160V,單層芯片電容也需要向更高電壓發展,適應T/R組件的發展。


              廣東愛晟電子科技有限公司生產的SLC單層芯片電容,采用先進的半導體制程,結合自主知識產權,利用單層芯片電容加工工藝技術,實現了芯片電容生產的高精度、批量化、高可靠。






              參考數據:


              微信公眾號 宏科電子技術社區 《一文了解單層芯片瓷介電容器》

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