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              技術支持
              單層陶瓷芯片電容/SLC的制作
              發布者 : admin 發布時間 : 2019/09/10 08:09:57

              在電子線路中,陶瓷芯片電容是用于通過交流而阻隔直流,也用來存儲和釋放電荷以充當濾波器,平滑輸出脈動信號。廣東愛晟電子科技有限公司生產的單層芯片電容(SLC),具有尺寸小、厚度?。ê穸纫话銥?/span>0.15~0.5mm)、損耗低等優點,可根據客戶的要求定制不同的尺寸及參數。

              今天,為大家介紹一種陶瓷芯片電容的制作方法。這種方法,能使單位面積的電容增加,陶瓷電介質層更薄,可達0.0005英寸左右。與同類技術中有類似尺寸的芯片電容比較,通過這種方法制作的電容具有更高的溫度特性以及更低的損耗。

              電極的制備

              將52pbw 的細(1 微米)鉑粉和 22pbw 電介質粉混合成26pbw乙基纖維素飽和溶液。


              “綠色”電介質帶材料的制備

              將以下的材料在1000cc的瓷質研磨罐中混合:

              96g聚乙烯醇

              6.6g三乙二醇

              0.6g表面活性劑

              1.2g 冰醋酸

              150g電介質粉末

              46.5g蒸餾水

              用輥壓機以100轉/分鐘的速度將以上材料混合48小時。


              電解質帶的制作

              1. 將材料放到抽真空機器中,打開抽氣泵抽真空, 脫氣(操作泵)30分鐘

              2. 將刮片設置為 0.001, 0.75 英寸/秒的速度澆鑄聚丙烯薄膜,允許干燥

              3. 剝下電解質帶。

              芯片電容的制作

              1、將綠色電介質帶切成2乘以2英寸的小塊

              2、80℃的烤箱中干燥4小時

              3、在可編程的烤爐中按照如下步驟燒結:

              a. 將室溫溫度以每分鐘2華氏度的速度,從室溫升2375華氏度

              b. 在 2375 華氏度下保持2小時

              c. 關閉烤爐,在封閉的爐子中冷卻至室溫

              4、按照以下配比用金屬濺射的方法為芯片電容鍍上金層:

              a. 10微英寸鈦鎢合金

              b. 30微英寸鎳

              c. 80微英寸金

              d. 按照指定的芯片尺寸將芯片電容切片






              參考數據:


              SINGLE LAYER ELECTRONIC CAPACTORS WITH VERY THIN DIELECTRICS AND METHODS TO PRODUCE SAME

              US 6, 690, 572 B2

              Inventor: Larry A. Liebowitz, 129 Adirondack

              Ave., Spotswood, NJ (US) 08884


              Notice: Subject to any disclaimer, the term of patent is extended or adjusted under 35 U.S.C. 154(b) by 0 days.


              Appl. No.: 10/090,816

              Filed: Mar. 6, 2002

              Prior Publication Data

              US 2003/0169555 A1 Sep. 11, 2003

              Int. Cl.7 ............................. H01G 4/06; H01G 4/00

              U.S. Cl. ............................. 361/311; 361/303

              Field of search ............................. 361 /301.4, 303-305, 361/311-313, 320,321.1-321.5


              References Cited

              U.S. PATENT DOCUMENTS

              3, 689, 810 A * 9/1972  Walles ........................ 361/305

              3, 882, 059 A * 5/1975  Elderbaum ................. 29/25.42

              5, 254, 360 A *10/1993  Crownover et al. .......... 427/79

              5, 737, 180 A * 4/1998  Yoo ............................. 361/313

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              6, 366, 443 B1 4/2002 Devoe et al. ..................... 361/313

              6, 433, 993 B1 * 8/2002 Hunt et al. ..................... 361/303


              FOREIGN PATENT DOCUMENTS


              P-2000-327964 A * 11/2000

              cited by examiner

              Primary Examiner - Dean A. Reichard

              Assistant Examiner - Eric Thomas

              Attorney, Agent, or Firm - Leonard Cooper


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