<b id="r31fp"></b>

      <pre id="r31fp"></pre><output id="r31fp"><dfn id="r31fp"></dfn></output>
        <pre id="r31fp"></pre>

              <progress id="r31fp"><nobr id="r31fp"></nobr></progress>
              QQ在線客服
              首頁 >技術支持 > 芯片電容
              技術支持
              單層芯片電容/SLC的制作
              發布者 : admin 發布時間 : 2019/08/15 10:08:58

              由于芯片電容的陶瓷介質厚度薄,具有易脆性,從而使生產過程的困難程度增加,降低了合格成品率。今天,為大家介紹一種單層芯片電容(SLC)的制作方法——多孔電極法,能有效提高成品的合格率,增加電容的穩定性,降低損耗。


              在生產過程中,為了形成電極,需將陶瓷介電材料融入到合適的陶瓷帶中。陶瓷介電材料材料在燒結過程中,使產生的燃燒材料形成多孔結構。通常,這種陶瓷介電材料可能是石墨、大米淀粉、細磨核桃殼,或許多有機和無機材料。所得到的的陶瓷帶,使其與陶瓷介電綠色絕緣共同燃燒,并在燃燒后兼容。


              其中,有一個主要的問題,匹配到的電極和絕緣帶在燒結過程中,收縮和燃燒時產生的熱膨脹。因此,被陶瓷介電材料填充的陶瓷帶類似于絕緣帶中的陶瓷。選擇綠色絕緣帶的厚度,是為了給出所需的單位面積的最終芯片電容,其厚度通常介于0.0005~0.005英寸。而選擇陶瓷介電材料填充的陶瓷帶的厚度,是為了提供所需的電容結構完整性和芯片電容成品的整體燃燒厚度。


              有一種可共燃導電金屬漿料適用于陶瓷介電綠色絕緣帶或陶瓷介電材料填充的陶瓷帶,在大多數情況下,可通過絲網印刷。然后,用傳統的層壓方法將絕緣材料和陶瓷介電材料進行層壓,將金屬漿料包覆在它們之間,然后進行燒制。


              完成燒結后,所得的多孔電極層前體從其外表面中浸漬導電金屬,通過如電鍍、濺射和/或滲透等工藝,從而形成了一個通過小孔連接到先前應用的金屬層的電連接,并使整個“多孔”層(現在充滿金屬)充當電極。


              最后,將電極施加到介電層的相反外表面,并根據需要進行切片,得到成品芯片電容。

              廣東愛晟電子科技有限公司生產的單層芯片電容具有尺寸小、厚度?。ê穸纫话銥?/span>0.15~0.5mm)、等效串聯電阻低、損耗低的優點。其應用頻率可達數GHz,適用于小型、微波的場合,可應用于微波集成電路中,起到隔直、RF旁路、濾波、調諧等作用。






              參考數據:


              SINGLE LAYER ELECTRONIC CAPACTORS WITH VERY THIN DIELECTRICS AND METHODS TO PRODUCE SAME

              US 6, 690, 572 B2

              Inventor: Larry A. Liebowitz, 129 Adirondack

              Ave., Spotswood, NJ (US) 08884


              Notice: Subject to any disclaimer, the term of patent is extended or adjusted under 35 U.S.C. 154(b) by 0 days.


              Appl. No.: 10/090,816

              Filed: Mar. 6, 2002

              Prior Publication Data

              US 2003/0169555 A1 Sep. 11, 2003

              Int. Cl.7 ............................. H01G 4/06; H01G 4/00

              U.S. Cl. ............................. 361/311; 361/303

              Field of search ............................. 361 /301.4, 303-305, 361/311-313, 320,321.1-321.5


              References Cited

              U.S. PATENT DOCUMENTS

              3, 689, 810 A * 9/1972  Walles ........................ 361/305

              3, 882, 059 A * 5/1975  Elderbaum ................. 29/25.42

              5, 254, 360 A *10/1993  Crownover et al. .......... 427/79

              5, 737, 180 A * 4/1998  Yoo ............................. 361/313

              6, 207, 522 B1 * 3/2001 Hunt et al. .................... 438/393

              6, 366, 443 B1 4/2002 Devoe et al. ..................... 361/313

              6, 433, 993 B1 * 8/2002 Hunt et al. ..................... 361/303


              FOREIGN PATENT DOCUMENTS


              P-2000-327964 A * 11/2000

              cited by examiner

              Primary Examiner - Dean A. Reichard

              Assistant Examiner - Eric Thomas

              Attorney, Agent, or Firm - Leonard Cooper


              mqu.cn site.nuo.cn 免费能直接看黄的视频,免费岛国片在线观看x片,免费人成视频在线视频网站,污黄啪啪网18以下勿进